1. 基片厚度：通例使用的重要有:

??????????0.381、 ??0.635、0.762、1.0

b. 电阻与导体的搭接：

???????通常的
，搭接宽度≥6-10mil（0.15～0.25mm）

c. ?导体最幼线宽：钯银导体：10mil(0.25mm)
；金导体：6mil(0.15mm)

d. 线间距大于线宽度：12mil/12mil
；

e. 电阻最幼面积：L或W＞30mil（0.75mm）?

f. 能够做多层电路：3层

g. 阻值领域：通例10欧～数兆欧

h. 高压电阻：数百兆欧

i. 电阻精度领域：通例：

?????兆欧：±2%
； ??千欧：±1%
； ??欧姆：±10% ??

j.电阻温度系数TCR：

??????通例：±100ppm（-55℃ ～ 25 ℃ ～ 125℃）
；

??????特殊：±50ppm （0℃ ～ 25 ℃ ～ 70℃）

电路设计矫捷
，可定造满足用户对电路表形和结构的各类要